DANVERS,马萨诸塞州 - 宜必思科技公司今天宣布与三星电子达成联合开发协议有限公司和三菱材料硅公司(Mitsubishi Materials Silicon Corp.)优化用于高性能CMOS半导体的绝缘体上硅(SOI)技术。
三家公司计划建立三方合作伙伴关系,以提升宜必思通过氧离子注入(SIMOX)SOI改善器件可靠性,性能和其他制造优势。根据协议,三星将使用Ibis的Advantox SIMOX-SOI晶圆制造CMOS器件,以验证改进。三菱将对材料参数进行认证,提供晶圆基板,并与三星合作以确定结果。
“通过优化Advantox晶圆用于高性能CMOS器件应用,合作伙伴关系使Ibis受益,”总裁兼总裁Martin Reid表示。宜必思首席执行官,去年与三菱材料公司签订了SOI许可协议(见1999年11月30日,故事)。 “当然,客户将通过这种合作伙伴关系获得改进和增强的Advantox产品的好处,”他补充道。“
Ibis表示去年推出了Advantox基板产品组合,以努力扩大SIMOX-SOI晶圆的商业应用范围,并增强Ibis 1000种植体系统的功能。
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