基于Si半导体，从物理性质→pn结→pin结→BJT(晶体管)→SCR(晶闸管)→MOSFET→IGBT的概述，以载流子的工作机理贯穿，重新聊聊作为“二合一”加强版的IGBT以及前身半导体器件的整个路径。
“一千个人眼里有一千个哈姆雷特”，任何一个事物从不同的方向深入都会有不同的见解，更何况IGBT这么一个横向纵向都涉及得太多太多的器件。我们不止一次地聊它，当然，今天也肯定不会是最后一次。
从p型和n型半导体，到最基础的pn结，到pnp/npn的BJT，到pnpn的晶闸管，再到单极性器件MOSFET，再到最终的IGBT，一步步折中优化，使IGBT成为当今功率半导体的翘楚。
审核编辑：刘清