EGN26C160I2D 高压大功率GaN HEMT

GaN HEMT 大功率高压

型号： EGN26C160I2D

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 EGN26C160I2D
名称用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
产地日本
封装 SMT

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT EGN26C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及宽带宽，适用于50V操作的高功率放大器，并提供你的收益更高。此新产品非常适合在2.3GHz至2.7GHz范围内使用LTE设计要求，因为它提供了高增益、长期可靠性和易于使用。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 EGN26C160I2D
名称用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
产地日本
封装 SMT

型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：52.5dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
功率增益：16dB（典型值）@f=2.6GHz
经验证的可靠性

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