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EGN21C320IV 高压 大功率GaN HEMT

型号: EGN21C320IV

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型号 EGN21C320IV
  • 名称 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
  • 产地 日本
  • 封装 SMT

--- 产品详情 ---

EGN21C320IV 

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT EGN21C320IV提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及用于50V操作的高功率L波段放大器的宽带宽,以及给你更高的增益。此新产品非常适合在2.14GHz W-CDMA和LTE中使用设计要求,因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型号                    EGN21C320IV
名称                    用于基站的功率GaN>GaN HEMT
产地                    日本
封装                    SMT


型号参数
高压操作:VDS=50V
高功率:55.0dBm(典型值)@Psat
高效率:65%(典型值)@Psat
功率增益:18dB(典型值)@f=2.14GHz
经验证的可靠性


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