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SGK5867-100C C波段 内部匹配 GaN HEMT

型号: SGK5867-100C

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 SGK5867-100C
  • 名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
  • 产地 日本
  • 封装 SMT

--- 产品详情 ---

SGK5867-100C

型号简介
Sumitomo的ES/SG5867-100C是一种高功率GaN HEMT,内部匹配标准通信频带,在50Ω系统中提供最佳功率和增益。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SGK5867-100C
名称                    High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地                    日本
封装                    SMT


型号参数
高输出功率:P5dB=50.5dBm(典型)
高增益;GL=14.5dB(典型值)
PAE高;ηadd=45%(典型值)
宽带;5.85至6.75GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
密封包装


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