SGK1314-30B ku带内部匹配 GaN HEMT

GaN HEMT

型号： SGK1314-30B

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 SGK1314-30B
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装 IBK

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的SGK1314-30B是一种高功率GaN HEMT与Ku波段宽VBW应用相匹配，并具有良好的IMD偏移频率高达250MHz时的性能。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGK1314-30B
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装 IBK

型号参数
宽带：13.75至14.5GHz
高输出功率：Pout=45dBm（典型值）
出色的IM3，宽偏移频率：Δf=～250MHz
适用于多载波信号
内部匹配
密封包装

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