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2N7002DWQ 双 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: 2N7002DWQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 2N7002DWQ
  • 名称 双 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT363

--- 产品详情 ---

2N7002DWQ  

产品简介
DIODES 的 2N7002DWQ该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,由 PPAP 支持,非常适合用于电机控制和电源管理功能。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    2N7002DWQ
名称                    双 N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    SOT363


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.23 A
PD @TA = +25°C (W) 0.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 13500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7500 @5V mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.223 nC
CISS Typ (pF) 22 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
双 N 沟道 MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装


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