产品简介
DIODES 的 2N7002DWK该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 2N7002DWK
名称 双 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT363
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.261 A
PD @TA = +25°C (W) 0.45 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.51 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.04 nC
CISS Typ (pF) 41 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
双 N 沟道 MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
静电放电保护
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