产品简介
DIODES 的 ZXMN2A01F 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 ZXMN2A01F
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT23
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.9 A
PD @TA = +25°C (W) 0.625 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 225 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.7 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3 nC
CISS Typ (pF) 310 pF
主要特征
低导通电阻
切换速度快
低阈值
低门驱动器
小型表面安装封装
相关型号
ZXMC3AMC
ZXMC3F31DN8
ZXMC4559DN8
ZXMC4A16DN8
ZXMC6A09DN8
ZXMD63N03X
ZXMHC10A07N8
ZXMHC10A07T8
ZXMHC3A01N8
ZXMHC3A01T8
ZXMHC3F381N8
ZXMHC6A07N8
ZXMHC6A07T8
ZXMHN6A07T8
ZXMN10A07F
ZXMN10A07Z
ZXMN10A08DN8
ZXMN10A08E6
ZXMN10A08G
ZXMN10A09K
ZXMN10A11G
ZXMN10A11K
ZXMN10A25G
ZXMN10A25K
ZXMN10B08E6
ZXMN15A27K
ZXMN20B28K
ZXMN2A01E6
ZXMN2A01F
ZXMN2A02N8
ZXMN2A03E6
ZXMN2A04DN8
