产品简介
DIODES 的 ZXMN10A11G 该 MOSFET 采用独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，这使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 ZXMN10A11G
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT223 (Type DN)
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 350 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.5 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.4 nC
CISS Typ (pF) 274 pF
主要特征
快速切换速度
低门驱动器
低输入电容
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