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MMBF170Q N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: MMBF170Q

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 MMBF170Q
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

MMBF170Q 

产品简介
DIODES 的 MMBF170Q这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    MMBF170Q
名称                    N 沟道增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                     SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.5 A
PD @TA = +25°C (W) 0.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5300 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
CISS Typ (pF) 22 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏


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