产品简介
DIODES 的 DMTH6005LFG 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH6005LFG
名称 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 19.7 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 2.38 W
PD @TC = +25°C (W) 75 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.1 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 23.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 48.7 nC
CISS Typ (pF) 3150 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
生产中的100%无阻尼感应开关（UIS）测试-确保更可靠、更稳健的最终应用
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸热效封装实现更高密度的最终产品
仅占SO-8板面积的33%，实现更小的最终产品
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