企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

7.7k 内容数 99w+ 浏览量 278 粉丝

DMTH6004SK3Q 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH6004SK3Q

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH6004SK3Q
  • 名称 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO252 (DPAK)

--- 产品详情 ---

DMTH6004SK3Q 

产品简介
DIODES 的 DMTH6004SK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AECQ101 资格并得到 PPAP 支持。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    DMTH6004SK3Q
名称                    60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                    TO252 (DPAK)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
PD @TC = +25°C (W) 180 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3.8 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 95.4 nC
CISS Typ (pF) 4556 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
低 R DS(ON) – 最大限度地减少功率损耗
低 QG –最大限度地减少开关损耗


相关型号
DMTH6004SCT
DMTH6004SCTB
DMTH6004SCTBQ
DMTH6004SK3
DMTH6004SK3Q
DMTH6004SPS
DMTH6004SPSQ
DMTH6005LCT
DMTH6005LFG
DMTH6005LK3
DMTH6005LK3Q
DMTH6005LPS
DMTH6005LPSQ
DMTH6006LPSW
DMTH6006LPSWQ
DMTH6006SPS
DMTH6009LK3
DMTH6009LK3Q
DMTH6009LPS
DMTH6009LPSQ
DMTH6009SPS
DMTH6010LK3
DMTH6010LK3Q
DMTH6010LPD
DMTH6010LPDQ
DMTH6010LPDW
DMTH6010LPDWQ
DMTH6010LPS
DMTH6010LPSQ
DMTH6010LPSW
DMTH6010LPSWQ

 

为你推荐