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DMTH6004SCTB 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH6004SCTB

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH6004SCTB
  • 名称 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO263AB

--- 产品详情 ---

DMTH6004SCTB 

产品简介
DIODES 的 DMTH6004SCTB 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    DMTH6004SCTB
名称                    60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                     TO263AB


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 4.7 W
PD @TC = +25°C (W) 136 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3.4 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 95.4 nC
CISS Typ (pF) 4556 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
额定温度为 175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
低 R DSON – 最大限度地减少功率损耗
低 Q g – 最大限度地减少开关损耗


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