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DMTH6002LPSWQ 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH6002LPSWQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH6002LPSWQ
  • 名称 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI®5060-8

--- 产品详情 ---

DMTH6002LPSWQ 

产品简介
DIODES 的 DMTH6002LPSWQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,并由 PPAP 支持。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    DMTH6002LPSWQ
名称                    60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                     PowerDI®5060-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 190 A
PD @TA = +25°C (W) 3.13 W
PD @TC = +25°C (W) 190 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 131 nC
CISS Typ (pF) 8289 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度
环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 –
确保最终应用更加可靠和稳健
低 RDS(ON) – 最大限度地减少状态损失
低输入电容
开关速度快
用于改进光学检测的可润湿侧面


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