产品简介
DIODES 的 DMTH45M5LFVW 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH45M5LFVW
名称 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI® 3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 71 A
PD @TA = +25°C (W) 3.5 W
PD @TC = +25°C (W) 51 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7.9 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1.2 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.9 nC
CISS Typ (pF) 978 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
低 R DS(ON) – 确保最小化通态损耗
优秀的 Q gd x R DS(ON)产品 (FOM)
用于改进光学检测的可润湿侧面
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
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