企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

8k 内容数 99w+ 浏览量 307 粉丝

DMTH4014LFVW 40V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH4014LFVW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH4014LFVW
  • 名称 40V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI®3333-8

--- 产品详情 ---

DMTH4014LFVW 

产品简介
DIODES 的 DMTH4014LFVW 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                   DIODES
型号                   DMTH4014LFVW
名称                   40V  N 沟道增强型 MOSFET
产地                   台湾
封装                    POWERDI®3333-8


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.5 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 49.8 A
PD @TA = +25°C (W) 3.1 W
PD @TC = +25°C (W) 49.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 13.7 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 26 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.2 nC
CISS Typ (pF) 750 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度
环境的理想选择
低 RDS(ON) – 确保导通状态损耗最小化
优秀的 Qgd x RDS (ON) 产品 (FOM)
用于改进光学检测的可润湿
侧面 生产中 100% 非钳位感应开关 (UIS) 测试 –
确保最终应用更加可靠和稳健


相关型号
DMTH4007SPD
DMTH4007SPDQ
DMTH4007SPS
DMTH4007SPSQ
DMTH4008LFDFW
DMTH4008LFDFWQ
DMTH4008LPDW
DMTH4008LPDWQ
DMTH4008LPS
DMTH4008LPSQ
DMTH4011SPD
DMTH4011SPDQ
DMTH4014LDVW
DMTH4014LDVWQ
DMTH4014LFVW
DMTH4014LFVWQ
DMTH4014LPD
DMTH4014LPDQ
DMTH4014LPSW
DMTH4014LPSWQ
DMTH4014SPSW
DMTH4014SPSWQ
DMTH41M2SPS
DMTH41M2SPSQ
DMTH41M8SPS
DMTH41M8SPSQ
DMTH42M4SPS
DMTH43M8LFG
DMTH43M8LFGQ
DMTH43M8LK3
DMTH43M8LK3Q
DMTH43M8LPS
DMTH43M8LPSQ

 

为你推荐