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DMTH4014LDVWQ 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH4014LDVWQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH4014LDVWQ
  • 名称 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI®3333-8

--- 产品详情 ---

DMTH4014LDVWQ 

产品简介
DIODES 的 DMTH4014LDVWQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,并由 PPAP 支持。

 

产品规格 
品牌                   DIODES
型号                   DMTH4014LDVWQ
名称                   40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                   台湾
封装                    POWERDI®3333-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.2 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 27.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 27.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.2 nC
CISS Typ (pF) 750 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
低 R DS(ON) – 确保最小化通态损耗
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
用于改进光学检测的可润湿侧面


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