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DMTH4008LFDFW 40V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH4008LFDFW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH4008LFDFW
  • 名称 40V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)

--- 产品详情 ---

DMTH4008LFDFW 

产品简介
DIODES 的 DMTH4008LFDFW 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低
电阻(RDS(ON))并且仍然保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMTH4008LFDFW
名称                  40V N 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                   U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 18 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.2 nC
CISS Typ (pF) 1030 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
额定温度为+175°C–非常适合高环境温度环境
100%无阻尼感应开关,生产测试-
确保更加可靠和稳健的最终应用程序
低RDS(ON)–确保最大限度地减少状态损耗
0.6mm轮廓–适用于低轮廓应用
PCB占地面积4mm2


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