--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMTH4007SPS
- 名称 40V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI® 5060-8
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMTH4007SPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH4007SPS
名称 40V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI® 5060-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15.7 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
PD @TC = +25°C (W) 136 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.6 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 41.9 nC
CISS Typ (pF) 2082 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
热效率高的封装 – 运行温度更低的应用
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
低输入电容
开关速度快
<1.1mm 封装外形 – 薄型应用的理想选择
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