企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

7.7k 内容数 99w+ 浏览量 278 粉丝

DMTH4001STLW 40V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH4001STLW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH4001STLW
  • 名称 40V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI®1012-8 (TOLL)

--- 产品详情 ---

DMTH4001STLW 

产品简介
DIODES 的 DMTH4001STLW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMTH4001STLW
名称                  40V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  POWERDI®1012-8 (TOLL)

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 300 A
PD @TA = +25°C (W) 6 W
PD @TC = +25°C (W) 300 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 0.85 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 2 V
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 150 nC
CISS Typ (pF) 13185 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度
环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 –
确保最终应用更加可靠和稳健
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少状态损失
用于改进光学检测的可润湿侧面


相关型号
DMTH3004LFG
DMTH3004LFGQ
DMTH3004LK3
DMTH3004LK3Q
DMTH3004LPS
DMTH3004LPSQ
DMTH31M7LPSQ
DMTH32M5LPS
DMTH32M5LPSQ
DMTH4001STLW
DMTH4001STLWQ
DMTH4002SCTB
DMTH4002SCTBQ
DMTH4004LK3
DMTH4004LK3Q
DMTH4004LPS
DMTH4004LPSQ
DMTH4004SCTB
DMTH4004SCTBQ
DMTH4004SK3
DMTH4004SK3Q
DMTH4004SPS
DMTH4004SPSQ
DMTH4005SCT
DMTH4005SK3
DMTH4005SK3Q
DMTH4005SPS
DMTH4005SPSQ

 

为你推荐