产品简介
DIODES 的 DMTH3004LFGQ 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH3004LFGQ
名称 30V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 75 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
PD @TC = +25°C (W) 50 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 44 nC
CISS Typ (pF) 2370 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关（生产中测试）——确保更可靠、更稳健的最终应用
低 RDS(ON) – 确保最小化通态损耗
优秀的 Qgd x RDS(ON) 产品 (FOM)
小外形热效率封装可实现更高密度的最终产品
仅占 SO-8 所占电路板面积的 33%，从而实现更小的最终产品
100% UIS（雪崩）评级
完全无铅且完全符合 RoHS 标准
不含卤素和锑。“绿色”设备
符合 AEC-Q101 高可靠性标准
PPAP 能力
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