产品简介
DIODES 的 DMTH10H2M5STLW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少(R DS(ON) )， 同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH10H2M5STLW
名称 100V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 POWERDI®1012-8 (TOLL)
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 248 A
PD @TA = +25°C (W) 5.8 W
PD @TC = +25°C (W) 230.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 124.4 nC
CISS Typ (pF) 8450 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试
高转换效率
低 (R DS(ON) ) – 最大限度地减少状态损失
用于改进光学检测的可润湿侧面
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