产品简介
DIODES 的 DMTH10H010LCTB 这种新一代N沟道增强型MOSFET设计用于最小化RDS（ON），同时保持卓越的切换表演该设备是高效电源的理想选择管理应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH10H010LCTB
名称 100V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO263AB (D2PAK)
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
PD @TC = +25°C (W) 125 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 17 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.7 nC
CISS Typ (pF) 2592 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
额定温度为+175°C——适用于高环境温度环境
100%无阻尼感应开关——确保更可靠和稳健的最终应用
低RDS（ON）--最大限度地减少电源损耗
低Qg——最大限度地减少开关损耗
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