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DMTH10H005LCT N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH10H005LCT

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH10H005LCT
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO220AB

--- 产品详情 ---

DMTH10H005LCT 

产品简介
DIODES 的 DMTH10H005LCT这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMTH10H005LCT
名称                  N 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  TO220AB


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 140 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 114 nC
CISS Typ (pF) 3688 pF


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
低输入电容
电力应用的高 BVDSS 评级
低输入/输出泄漏


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