产品简介
DIODES 的 DMT8012LFG 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通 电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关 性能，使其成为高效电源管理 应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT8012LFG
名称 80V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 POWERDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 80 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.5 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 35 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 30 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1949 pF
主要特征
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
出色的Qgd x RDS（ON）产品（FOM）
DC/DC转换器的先进技术
体积小、热效率高的封装
密度最终产品
仅占SO-8板面积的33%
较小的最终产品
100%UIS（雪崩）评级
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