产品简介
DIODES 的 DMT6011LPDW 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT6011LPDW
名称 60V 双 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22.2 nC
主要特征
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 –
确保最终应用更加可靠和稳健
热效率封装冷却器运行应用
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少状态损失
低输入电容
开关速度快
用于改进光学检测的可润湿侧面
ESD保护栅极
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