--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMT6010LPS
- 名称 60V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI® 5060-8
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMT6010LPS 这款新一代 n 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT6010LPS
名称 60V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI® 5060-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.5 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 80 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 113 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 41.3 nC
CISS Typ (pF) 2090 pF
主要特征
热效率封装冷却器运行应用
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
低输入电容
开关速度快
<1.1mm 封装外形 – 薄型应用的理想选择
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