--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMT10H032LFDF
- 名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 U-DFN2020-6
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMT10H032LFDF 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT10H032LFDF
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 32 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 46 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.9 nC
CISS Typ (pF) 683 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
0.6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
PCB 占地面积为 4mm2
低导通电阻
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
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