产品简介
DIODES 的 DMT10H010LCT 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT10H010LCT
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO220AB
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 98 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
PD @TC = +25°C (W) 139 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 20 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 58.4 nC
CISS Typ (pF) 2592 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动
低输入电容
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