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DMPH6050SPDQ 175°C 60V 双 P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMPH6050SPDQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMPH6050SPDQ
  • 名称 175°C 60V 双 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 PowerDI5060-8 (Type C)
  • 封装 PowerDI5060-8 (Type C)

--- 产品详情 ---

DMPH6050SPDQ 

产品简介
DIODES 的 DMPH6050SPDQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,由 PPAP 支持,非常适合用于:发动机管理系统、车身控制电子设备和 DC-DC 转换器。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMPH6050SPDQ
名称                  175°C 60V 双 P 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  PowerDI5060-8 (Type C)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 48 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 60 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 30.6 nC
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 非常适合高环境温度环境
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
低 R DS(ON) – 最大限度地减少功率损耗
低 Q g – 最大限度地减少开关损耗


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