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DMPH4029LFG 175°C 40V P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMPH4029LFG

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMPH4029LFG
  • 名称 175°C 40V P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI®3333-8

--- 产品详情 ---

DMPH4029LFG  

 产品简介
DIODES 的 DMPH4029LFG 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMPH4029LFG
名称                  175°C 40V  P 沟道增强型 MOSFET
产地                   台湾
封装                   PowerDI®3333-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 45 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1626 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
低 RDS(ON) – 确保最小化状态损失
小外形热效率封装可实现更高密度的最终产品
仅占用 SO-8 所占电路板面积的 33%,从而实现更小的最终产品

 

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