--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMP32D9UFZ
- 名称 P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 X2-DFN0606-3
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMP32D9UFZ该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP32D9UFZ
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 X2-DFN0606-3
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.39 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 7000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.35 nC
CISS Typ (pF) 22.5 pF
主要特征
低封装外形,最大封装高度0.42mm
0.62mm x 0.62mm封装外形
低导通电阻
极低栅极阈值电压,最大-1.0V
ESD保护门
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