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DMP3045LFVW 30V P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMP3045LFVW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP3045LFVW
  • 名称 30V P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)

--- 产品详情 ---

DMP3045LFVW 

产品简介
DIODES 的 DMP3045LFVW  这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP3045LFVW
名称                  30V P 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.7 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 19.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 42 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 65 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.6 nC
CISS Typ (pF) 782 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低 RDS(on) – 确保最小化通态损耗
小外形热效率封装可实现更高
密度的最终产品
仅占 SO-8 所占电路板面积的 33%,从而实现
更小的最终产品
ESD保护栅极


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