企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

7.7k 内容数 99w+ 浏览量 278 粉丝

DMP3028LSD 双 P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMP3028LSD

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP3028LSD
  • 名称 双 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SO-8

--- 产品详情 ---

DMP3028LSD

 
产品简介
DIODES 的 DMP3028LSD  这款新一代 30V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 RDS(on),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合电池负载切换。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP3028LSD
名称                  双 P 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  SO-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 38 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22 nC
CISS Typ (pF) 1241 pF


主要特征
低 RDS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
小外形热效率封装可实现
更高密度的最终产品
100% 非钳位感应开关 – 确保更高的可靠性


相关型号
DMP3021SFVW
DMP3021SFVWQ
DMP3021SPDW
DMP3021SPSW
DMP3021SSS
DMP3025SFDF
DMP3026SFDE
DMP3026SFDF
DMP3028LFDE
DMP3028LFDEQ
DMP3028LK3
DMP3028LK3Q
DMP3028LPSQ
DMP3028LPSW
DMP3028LSD
DMP3030SN
DMP3035LSS
DMP3036SFG
DMP3036SFV
DMP3036SFVQ
DMP3036SSD
DMP3036SSS
DMP3037LSS
DMP3037LSSQ
DMP3045LFVW
DMP3045LFVWQ
DMP3045LVT
DMP3045LVTQ
DMP3048LSD
DMP3050LSS
DMP3050LVT
DMP3050LVTQ
DMP3056L
DMP3056LDM
DMP3056LSD
DMP3056LSDQ
DMP3056LSS
DMP3056LSSQ
DMP3065LVT

 

为你推荐