产品简介
DIODES 的 DMP26M1UFG 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP26M1UFG
名称 20VP 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI3333-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 71 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 7.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 12 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 75 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 5392 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低 RDS(on) – 确保导通状态损耗最小化
小尺寸、高热效率的封装可实现更高
密度的最终产品
仅占用 SO-8 所占电路板面积的 33%，从而实现
更小的最终产品
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