--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMP2069UFY4
- 名称 P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 X2-DFN2015-3
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMP2069UFY4 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(打开)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP2069UFY4
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 X2-DFN2015-3
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.5 A
PD @TA = +25°C (W) 0.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 54 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 69 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 90 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.1 nC
CISS Typ (pF) 214 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏
ESD保护高达3kV
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