产品简介
DIODES 的 DMP2007UFG 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS（ON））并保持卓越的开关性能，使其非常适合高效率电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP2007UFG
名称 20V P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 POWERDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 39 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 85 nC
CISS Typ (pF) 4621 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸的热效率封装使
密度最终产品
仅占SO-8板面积的33%
较小的最终产品
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