产品简介
DIODES 的 DMP1008UCB9 这款第三代横向 MOSFET (LD-MOS) 旨在最大限度地减少通态损耗并实现超快开关，使其成为高效电力传输的理想选择。它采用芯片级封装 (CSP)，通过将低热阻抗与每占位面积的最小 RDS(ON) 相结合来提高功率密度。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP1008UCB9
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-WLB1515-9
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 8 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.7 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9.1 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.2 nC
CISS Typ (pF) 900 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 4 V
主要特征
品质因数最低的 LD-MOS 技术：
RDS(ON) = 5.7mΩ，最大限度降低通态损耗
Qg = 8.2nC，用于超快速开关
VGS(TH) = -0.6V（典型值）低导通电位
CSP 封装尺寸 1.5mm × 1.5mm
薄型高度 = 0.60mm
栅极ESD保护
相关型号
DMNH6065SPDW
DMNH6065SPDWQ
DMNH6065SSD
DMNH6065SSDQ
DMNH6069SFVW
DMNH6069SFVWQ
DMP1005UFDF
DMP1007UCB9
DMP1008UCA9
DMP1008UCB9
DMP1009UFDF
DMP1009UFDFQ
DMP1011LFV
DMP1011LFVQ
DMP1011UCB9
DMP1012UFDF
DMP1012USS
DMP1022UFDEQ
DMP1022UFDF
DMP1022UWS
DMP1045U
DMP1045UCB4
DMP1045UFY4
DMP1045UQ
DMP1046UFDB
DMP1055UFDB
DMP1055USW
DMP1070U
DMP1070UCA3
DMP1070UQ
DMP10H088SPS
DMP10H400SE
DMP10H400SEQ
DMP10H400SK3
DMP10H4D2S
DMP1100UCB4
DMP1200UFR4
DMP1245UFCL
DMP1555UFA
DMP2002UPS
DMP2003UPS
DMP2004DMK
DMP2004DWK
DMP2004K
DMP2004TK
DMP2004UFG
DMP2004VK
DMP2004WK
DMP2005UFG
DMP2006UFGQ
DMP2007UFG
DMP2008UFG
DMP2008USS
DMP2010UFG
DMP2010UFV
DMP2012SN
DMP2016UFDF
DMP2018LFK
DMP2021UFDE
DMP2021UFDF
DMP2021UTS
DMP2021UTSQ
DMP2022LSS
DMP2022LSSQ
DMP2023UFDF
DMP2033UVT
DMP2035U
DMP2035UFCL
DMP2035UFDF
DMP2035UTS
DMP2035UVT
DMP2035UVTQ
DMP2036UVT
