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DMNH6065SPDWQ 60V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMNH6065SPDWQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMNH6065SPDWQ
  • 名称 60V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI®5060-8

--- 产品详情 ---

DMNH6065SPDWQ 

产品简介
DIODES 的 DMNH6065SPDWQ 这种 MOSFET 在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,并由 PPAP 支持。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMNH6065SPDWQ
名称                60V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                PowerDI®5060-8

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 27 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 68 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 65 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 79 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.5 nC
CISS Typ (pF) 466 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

 

主要特征
额定温度为 +175°C — 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
低输入电容
用于改进光学检测的可润湿侧面

 

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