产品简介
DIODES 的 DMNH6065SPDW 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选用于高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMNH6065SPDW
名称 60V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 27 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 68 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 65 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 79 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.5 nC
CISS Typ (pF) 466 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
低输入电容
用于改进光学检测的可润湿侧面
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