产品简介
DIODES 的 DMNH10H028SK3 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选用于高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMNH10H028SK3
名称 100V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 40 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
PD @TC = +25°C (W) 166 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 36 nC
CISS Typ (pF) 2245 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
热效率封装冷却器运行应用
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少状态损失
低输入电容
开关速度快
<1.1mm 封装外形 – 薄型应用的理想选择
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