产品简介
DIODES 的 DMN53D0LDW这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN53D0LDW
名称 双N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT363
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.36 A
PD @TA = +25°C (W) 0.31 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 1600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 4500 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
CISS Typ (pF) 46 pF
主要特征
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
小型表面安装封装
ESD保护至2kV
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