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DMN4020LFDE N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN4020LFDE

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN4020LFDE
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6 (Type E)

--- 产品详情 ---

DMN4020LFDE 

产品简介
DIODES 的 DMN4020LFDE 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,是高效电源管理的理想选择应用程序。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN4020LFDE
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                U-DFN2020-6 (Type E)

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 19.1 nC
CISS Typ (pF) 1060 pF

 

主要特征
0.6mm轮廓–适用于低轮廓应用
PCB占地面积4mm2
低栅极阈值电压
低导通电阻

 

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