产品简介
DIODES 的 DMN3730UFB4 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（打开）），同时保持卓越的切换性能，使其高效电源管理应用的理想选择
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN3730UFB4
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 X2-DFN1006-3
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.9 A
PD @TA = +25°C (W) 0.69 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 460 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 560 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 730 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.6 nC
CISS Typ (pF) 64.3 pF
主要特征
0.4mm超薄封装，适用于薄型应用
0.6mm2封装面积，比SOT23小10倍
低VGS（th），可直接由电池驱动
RDS低（打开）
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