产品简介
DIODES 的 DMN31D5UDJ 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选，用于高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN31D5UDJ
名称 双N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT963
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.22 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 3000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.38 nC
CISS Typ (pF) 22.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低导通电阻
极低栅极阈值电压，最大值 1.0V
低输入电容
开关速度快
超小型表面贴装封装 1mm x 1mm
ESD保护栅极
相关型号
DMN31D4UFZ
DMN31D5L
DMN31D5UDA
DMN31D5UDAQ
DMN31D5UDJ
DMN31D5UFO
DMN31D5UFZ
DMN31D5UFZQ
DMN31D6UT
DMN3200U
DMN3270UVT
DMN32D0LFB4
DMN32D0LV
DMN32D0LVQ
DMN32D2LDF
DMN32D2LFB4
DMN32D4SDW
DMN3300U
DMN3300UQ
DMN33D8L
DMN33D8LDW
DMN33D8LDWQ
DMN33D8LT
DMN33D8LTQ
DMN33D8LV
DMN33D8LVQ
DMN33D9LV
DMN3401LDW
DMN3401LDWQ
DMN3401LV
DMN3401LVQ
DMN3404L
