产品简介
DIODES 的 DMN3061S 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN3061S
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT23
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.23 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 98 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 196 (@3.3V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.5 nC
CISS Typ (pF) 233 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
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