产品简介
DIODES 的 DMN3032LE 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN3032LE
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT223
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3 nC
CISS Typ (pF) 498 pF
主要特征
低导通电阻
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏
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