产品简介
DIODES 的 DMN3029LFG 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN3029LFG
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 POWERDI3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.07 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 26.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3 nC
CISS Typ (pF) 580 pF
主要特征
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
体积小、热效率高的封装
密度最终产品
仅占SO-8板面积的33%
较小的最终产品
100%UIS（雪崩）评级
100%Rg测试
相关型号
DMN3023L
DMN3024LK3
DMN3024SFG
DMN3025LFDF
DMN3025LFG
DMN3025LFV
DMN3025LSS
DMN3026LVT
DMN3026LVTQ
DMN3027LFG
DMN3028L
DMN3028LQ
DMN3029LFG
DMN3030LSS
DMN3032LE
DMN3032LFDB
DMN3032LFDBQ
DMN3032LFDBWQ
DMN3033LDM
DMN3033LSD
DMN3033LSDQ
DMN3033LSN
DMN3033LSNQ
DMN3035LWN
