产品简介
DIODES 的 DMN3023L 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，是高效电源管理的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN3023L
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT23
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 68 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.4 nC
CISS Typ (pF) 873 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
ESD保护栅极
相关型号
DMN3023L
DMN3024LK3
DMN3024LSD
DMN3024LSS
DMN3024SFG
DMN3025LFDF
DMN3025LFG
DMN3025LFV
DMN3025LSS
DMN3026LVT
DMN3026LVTQ
DMN3027LFG
DMN3028L
DMN3028LQ
DMN3029LFG
DMN3030LSS
DMN3032LE
DMN3032LFDB
DMN3032LFDBQ
DMN3032LFDBWQ
DMN3033LDM
DMN3033LSD
DMN3033LSDQ
DMN3033LSN
DMN3033LSNQ
DMN3035LWN
